“数据爆发”时代存储市场加速发展国内存储产业正在追赶

每经记者：郭荣村 每经实习记者：安宇飞 每经编辑：陈俊杰

9月14日，2021年中国闪存市场峰会（以下简称峰会）在深圳召开，大会由国内存储市场资讯平台CFM闪存市场主办。

CFM闪存市场总经理邰炜表示，因为疫情，过去20多个月以来我们的生活方式发生了很多的变化。在线上经济，包括远程办公、网上教育等需求下，全球NAND Flash的总供应量将在今年同比增长39%，DRAM将同比增长21%。

在行业加速发展的背景下，中国半导体存储产业也在快速发展。在峰会上发布的《2021年全球存储市场趋势白皮书》（以下简称《白皮书》）显示，中国半导体存储产业起步较晚，目前已突破1%的全球市场占有率，并在技术上缩小了与国际原厂的差距，实现了主流技术的量产。

存储市场加速发展

存储器，又称为存储芯片，是半导体行业的支柱型产业之一。

太平洋证券一份研报援引Gartner数据称，2020年全球存储器收入增加135亿美元（相比2019年），占2020年整个半导体市场收入增长的44%。《白皮书》指出，存储器约占整个半导体行业产值的27%。

据了解，目前存储器主要分NAND Flash和DRAM两种。其中NAND Flash又被称为闪存，是一种非易失性存储芯片，断电不会丢失数据，具备读写功能，可以支持多次擦除和重复编程。而DRAM指的是动态随机存取存储器，速度比NAND Flash更快，但断电会丢失数据，主要用于存储短时间使用的程序。then

而疫情的到来，给存储器行业摁下了加速键。《白皮书》指出，疫情下人们转向于居家办公和网上学习等，增加了服务器以及PC需求，存储器也成为2020年表现最好的领域。

简单而言，办公、教学等领域的线上转型，以及AI、5G、物联网等新技术的发展，使得全球数据量出现爆炸性增长。而很多数据都需要存储，从而加速了存储行业的发展。

全球半导体储存龙头企业之一美光科技有限公司（以下简称美光）的集团副总裁Dinesh Bahal在峰会上提到了Decade in Days（几日即几十年）。他认为一场巨大的数字化转型已经发生，涵盖了人们工作、学习、娱乐等各个方面，人们期待世界会在10年内发生的（数字化）变革，甚至在数周内就发生了。

尽管各领域在疫情下的数字化转型带动了存储市场需求的增长，但在全球缺芯的局面下，存储市场也出现了供需失衡。

邰炜表示，整体存储市场已经由供不应求转变成结构性的供需失衡。由晶圆代工产能不足引发的缺芯浪潮逐渐蔓延到全产业链，目前最缺的PMIC（电源管理芯片）短期难以缓解，主控芯片供应有所改善。缺货引发囤货，再加上手机上半年为抢市场提前扩容，PC、服务器的需求旺盛，使得存储器出现涨价。then

据CFM闪存市场数据，今年前两个季度存储原厂（指存储器的生产制造商）DRAM和NAND Flash价格快速上涨。从1月份到8月份，整个DRAM和NAND Flash的综合价格指数分别上涨了18.4%和12.4%。

不过，邰炜认为，四季度除了企业级SSD供应依然紧张，其他各类产品的供应都将快速增加，三季度很有可能是本轮价格的分水岭。

根据CFM闪存市场数据分析，从2020年到2025年，手机市场、PC市场、数据中心市场对存储器的需求将分别以31%、22%、39%的复合增长率增长。

国内存储产业仍在追赶

目前全球存储市场的竞争格局如何？

华泰证券一份研报指出，根据Gartner数据，2020年全球存储器市场规模达到1245.4亿美元,目前韩、美、日厂商几乎垄断全球存储器市场，我国存储芯片几乎完全依靠进口。但长江存储、长鑫存储技术有限公司(以下简称长鑫存储)等存储项目正稳步推进。

据CFM闪存市场统计，2020年全年三星NAND Flash的营收在全球各存储原厂NAND Flash总营收中的占比高达33%，铠侠占比19%，西部数据占15%，美光和SK海力士各占11%，英特尔占10%。DRAM方面呈三足鼎立格局，三星营收占比高达43%，SK海力士和美光分别占比29%和23%。虽然国内的长江存储和长鑫存储起步较晚，但在2020年三季度纷纷突破1%的市场份额。then

从市场需求来看，中国已成为全球存储器最重要的需求市场之一。CFM闪存市场数据显示，在中国的DRAM和NAND Flash销售规模占据全球30%以上市场份额。

而中国的存储原厂正在技术层面加速追赶。据了解，NAND Flash在发展过程中逐渐由平面结构升级为三维架构，通过工艺技术的提升，可以逐渐增加存储单元的层数，实现在单位面积下更高的存储容量。

据英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰介绍，英特尔的144层3D NAND已于2020年大规模量产。

《白皮书》指出，中国半导体存储产业起步较晚，且初期发展并不均衡，更偏向于封测、模组以及国外品牌代理销售。长江存储和长鑫存储2016年成立，分别补上了中国在NAND Flash和DRAM市场核心供应环节的空白。长江存储128层3D NAND Flash、长鑫存储DDR4/LPDDR4X等产品的量产，已经缩小了与业内先进水平的差距。then

但《白皮书》同时表示，中国存储原厂现有产能规模仍然较小，不足以支撑起庞大的市场需求。中国存储发展仍然面临难题，无论是技术还是产能都需要巨额的投资，但目前中国的存储投资力度与国外厂商相比还有很大差距，如三星每年投入超200亿美元。动辄百亿级别的投资，仅依靠还在起步阶段的企业自身造血远远不够。

每日经济新闻